Package Information
Vishay Siliconix
S OIC (NARROW): 8-LEAD
JEDEC P a rt N u m b er: M S -012
8
1
7
2
6
3
5
4
E
H
S
D
A
0.25 mm (G a ge Pl a ne)
h x 45
C
All Le a d s
e
B
A 1
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q
0.101 mm
0.004"
MILLIMETERS
INCHES
DIM
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A 1
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h
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q
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Min
1.35
0.10
0.35
0.19
4.80
3.80
5.80
0.25
0.50
0.44
1.27 BSC
Max
1.75
0.20
0.51
0.25
5.00
4.00
6.20
0.50
0.93
0.64
Min
0.053
0.004
0.014
0.0075
0.189
0.150
0.228
0.010
0.020
0.018
0.050 BSC
Max
0.069
0.008
0.020
0.010
0.196
0.157
0.244
0.020
0.037
0.026
ECN: C-06527-Rev. I, 11-Sep-06
DWG: 5498
Document Number: 71192
11-Sep-06
www.vishay.com
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